BSP123L6327HTSA1 Fiche technique
Spécifications pour BSP123L6327HTSA1
Numéro d'article :
BSP123L6327HTSA1
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
Séries :
SIPMOS®
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
370mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 370mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.8V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
2.4nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
70pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
1.79W (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
PG-SOT223-4
Paquet / caisse :
TO-261-4, TO-261AA
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
65630 Pièces
Prix de référence
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