BSP123L6327HTSA1 - MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223

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MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
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Spécifications pour BSP123L6327HTSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSP123L6327HTSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
Séries : SIPMOS®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 370mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 370mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2.4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 70pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.79W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-SOT223-4
Paquet / caisse : TO-261-4, TO-261AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : BSP12 , BSP123L6

Documents pour BSP123L6327HTSA1

Feuilles de données : BSP123L6327HTSA1.pdf

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