IDB30E60ATMA1 Fiche technique
Spécifications pour IDB30E60ATMA1
Numéro d'article :
IDB30E60ATMA1
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de diode :
Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) :
600V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) :
52.3A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si :
2V @ 30A
La vitesse :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) :
126ns
Courant - Fuite inverse @ Vr :
50µA @ 600V
Capacité @ Vr, F :
-
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareils du fournisseur :
PG-TO263-3-2
Température de fonctionnement - Jonction :
-40°C ~ 175°C
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
340385 Pièces
Prix de référence
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