IDB30E60ATMA1 - DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IDB30E60ATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IDB30E60ATMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 52.3A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 2V @ 30A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 126ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 50µA @ 600V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO263-3-2
Température de fonctionnement - Jonction : -40°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IDB3 , IDB30E

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Feuilles de données : IDB30E60ATMA1.pdf

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