IXDN602SI Fiche technique
Spécifications pour IXDN602SI
Numéro d'article : IXDN602SI
Fabricant : IXYS Integrated Circuits Division
La description : MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Configuration pilotée : Low-Side
Type de canal : Independent
Nombre de conducteurs : 2
Type de porte : IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tension - Alimentation : 4.5V ~ 35V
Tension logique - VIL, VIH : 0.8V, 3V
Courant - sortie de crête (source, puits) : 2A, 2A
Type d'entrée : Non-Inverting
Haute tension latérale - Max (Bootstrap) : -
Temps de montée / descente (type) : 7.5ns, 6.5ns
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOIC-EP
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IXDN602SI
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
242945 Pièces
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