IXDN602SI - MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IXDN602SI
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
242945 Pieces
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Spécifications pour IXDN602SI
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IXDN602SI
Fabricant :
IXYS Integrated Circuits Division
La description :
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Configuration pilotée :
Low-Side
Type de canal :
Independent
Nombre de conducteurs :
2
Type de porte :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tension - Alimentation :
4.5V ~ 35V
Tension logique - VIL, VIH :
0.8V, 3V
Courant - sortie de crête (source, puits) :
2A, 2A
Type d'entrée :
Non-Inverting
Haute tension latérale - Max (Bootstrap) :
-
Temps de montée / descente (type) :
7.5ns, 6.5ns
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur :
8-SOIC-EP
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IXDN602SI
Feuilles de données :
IXDN602SI.pdf
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 7500PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 18KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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EPCOS (TDK) |
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