PMPB215ENEA/FX Fiche technique
Spécifications pour PMPB215ENEA/FX
Numéro d'article : PMPB215ENEA/FX
Fabricant : Nexperia USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN2020MD
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7.2nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 215pF @ 40V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.6W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 6-DFN2020MD (2x2)
Paquet / caisse : 6-UDFN Exposed Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN2020MD
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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