PMPB215ENEA/FX - MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN2020MD
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MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN2020MD
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour PMPB215ENEA/FX
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
PMPB215ENEA/FX
Fabricant :
Nexperia USA Inc.
La description :
MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN2020MD
Séries :
Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
2.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
230 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.7V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
7.2nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
215pF @ 40V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
1.6W (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
6-DFN2020MD (2x2)
Paquet / caisse :
6-UDFN Exposed Pad
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour PMPB215ENEA/FX
Feuilles de données :
PMPB215ENEA/FX.pdf
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