SUD35N10-26P-GE3 Fiche technique
Spécifications pour SUD35N10-26P-GE3
Numéro d'article : SUD35N10-26P-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 47nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 12V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-252, (D-Pak)
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
421455 Pièces
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