SUD35N10-26P-GE3 - MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

Référence fabricant

SUD35N10-26P-GE3

Numéro de pièce interne

AX-SUD35N10-26P-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SUD35N10-26P-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SUD35N10-26P-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 35A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 47nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 12V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 8.3W (Ta), 83W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-252, (D-Pak)

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SUD35 , SUD35N10

Documents pour SUD35N10-26P-GE3

Feuilles de données : SUD35N10-26P-GE3.pdf

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