IS42VM32160E-6BLI - IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
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Brève description
IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IS42VM32160E-6BLI
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IS42VM32160E-6BLI
Fabricant : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
La description : IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - Mobile
Taille mémoire : 512Mb (16M x 32)
Fréquence d'horloge : 166MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -
Temps d'accès : 5.5ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.7V ~ 1.95V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 90-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 90-TFBGA (8x13)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IS42VM32160E-6BLI
Feuilles de données : IS42VM32160E-6BLI.pdf
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