SI1926DL-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
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MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
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Spécifications pour SI1926DL-T1-GE3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SI1926DL-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 340mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.4nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 18.5pF @ 30V
Puissance - Max : 510mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur : SC-70-6 (SOT-363)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SI1926DL-T1-GE3
Feuilles de données : SI1926DL-T1-GE3.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 2500PF 14KV SCREW. | ||
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