70V657S10BC8 - IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-70V657S10BC8
Fabricant
Brève description
IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
13808 Pieces
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Spécifications pour 70V657S10BC8
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
70V657S10BC8
Fabricant :
IDT, Integrated Device Technology Inc
La description :
IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de mémoire :
Volatile
Format de mémoire :
SRAM
La technologie :
SRAM - Dual Port, Asynchronous
Taille mémoire :
1.125Mb (32K x 36)
Fréquence d'horloge :
-
Ecrire le temps de cycle - Word, Page :
10ns
Temps d'accès :
10ns
Interface mémoire :
Parallel
Tension - Alimentation :
3.15V ~ 3.45V
Température de fonctionnement :
0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
256-LBGA
Package d'appareils du fournisseur :
256-CABGA (17x17)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour 70V657S10BC8
Feuilles de données :
70V657S10BC8.pdf
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 1500PF 30KV R85 AXIAL. |
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KEMET |
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Vishay Beyschlag |
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