IXTM67N10 - POWER MOSFET TO-3
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IXTM67N10
Fabricant
Brève description
POWER MOSFET TO-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
22701 Pieces
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Spécifications pour IXTM67N10
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IXTM67N10
Fabricant : IXYS
La description : POWER MOSFET TO-3
Séries : GigaMOS™
Statut de la pièce : Last Time Buy
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 67A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4500pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 300W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-204AE
Paquet / caisse : TO-204AE
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IXTM67N10
Feuilles de données : IXTM67N10.pdf
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