FDMS86500DC - MOSFET N CH 60V 29A 8-PQFN

Référence fabricant

FDMS86500DC

Numéro de pièce interne

AX-FDMS86500DC

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N CH 60V 29A 8-PQFN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FDMS86500DC

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDMS86500DC

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N CH 60V 29A 8-PQFN

Séries : Dual Cool™, PowerTrench®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 29A (Ta), 108A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 29A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 107nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7680pF @ 30V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3.2W (Ta), 125W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : Dual Cool™56

Paquet / caisse : 8-PowerTDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FDM , FDMS8

Documents pour FDMS86500DC

Feuilles de données : FDMS86500DC.pdf

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