MT46V64M4FG-75E:G - IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
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IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour MT46V64M4FG-75E:G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : MT46V64M4FG-75E:G
Fabricant : Micron Technology Inc.
La description : IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - DDR
Taille mémoire : 256Mb (64M x 4)
Fréquence d'horloge : 133MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns
Temps d'accès : 750ps
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 2.3V ~ 2.7V
Température de fonctionnement : 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 60-FBGA
Package d'appareils du fournisseur : 60-FBGA (8x14)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour MT46V64M4FG-75E:G
Feuilles de données : MT46V64M4FG-75E:G.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 10000PF 14KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 100PF 30KV AXIAL. | ||
| AVX Corporation | CAP CER 0.022UF 16V X7R AXIAL. | ||
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| EPCOS (TDK) | CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL. | ||
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