SSM6N58NU,LF - MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-SSM6N58NU,LF
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SSM6N58NU,LF
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SSM6N58NU,LF
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate, 1.8V Drive
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 84 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.8nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 129pF @ 15V
Puissance - Max : 1W
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-WDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : 6-UDFN (2x2)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SSM6N58NU,LF
Feuilles de données : SSM6N58NU,LF.pdf
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