SSM6N58NU,LF - MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-SSM6N58NU,LF
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
3728920 Pieces
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Spécifications pour SSM6N58NU,LF
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SSM6N58NU,LF
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
84 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
1.8nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
129pF @ 15V
Puissance - Max :
1W
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
6-WDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur :
6-UDFN (2x2)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SSM6N58NU,LF
Feuilles de données :
SSM6N58NU,LF.pdf
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