S3KHM6G - DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-S3KHM6G
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
4728555 Pieces
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Spécifications pour S3KHM6G
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
S3KHM6G
Fabricant :
Taiwan Semiconductor Corporation
La description :
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
Séries :
Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce :
Active
Type de diode :
Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) :
800V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) :
3A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si :
1.15V @ 3A
La vitesse :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) :
1.5µs
Courant - Fuite inverse @ Vr :
5µA @ 800V
Capacité @ Vr, F :
30pF @ 4V, 1MHz
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
DO-214AB, SMC
Package d'appareils du fournisseur :
DO-214AB (SMC)
Température de fonctionnement - Jonction :
-55°C ~ 150°C
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour S3KHM6G
Feuilles de données :
S3KHM6G.pdf
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