IRF7779L2TRPBF - MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8

Référence fabricant

IRF7779L2TRPBF

Numéro de pièce interne

AX-IRF7779L2TRPBF

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IRF7779L2TRPBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRF7779L2TRPBF

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8

Séries : HEXFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 150V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 375A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6660pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3.3W (Ta), 125W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : DIRECTFET L8

Paquet / caisse : DirectFET™ Isometric L8

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRF7 , IRF7779

Documents pour IRF7779L2TRPBF

Feuilles de données : IRF7779L2TRPBF.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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PEF220WH10336BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK.
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