FESB16DTHE3/81 - DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
342260 Pieces
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Spécifications pour FESB16DTHE3/81
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
FESB16DTHE3/81
Fabricant :
Vishay Semiconductor Diodes Division
La description :
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de diode :
Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) :
200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) :
16A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si :
975mV @ 16A
La vitesse :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) :
35ns
Courant - Fuite inverse @ Vr :
10µA @ 200V
Capacité @ Vr, F :
175pF @ 4V, 1MHz
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareils du fournisseur :
TO-263AB
Température de fonctionnement - Jonction :
-65°C ~ 150°C
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour FESB16DTHE3/81
Feuilles de données :
FESB16DTHE3/81.pdf
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CAP CER 100PF 16KV DISK. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 14KV SCREW. |
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CAP CER 1000PF 14KV SCREW. |
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