IXDN409SIA - IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-SOIC

Référence fabricant

IXDN409SIA

Numéro de pièce interne

AX-IXDN409SIA

Fabricant

IXYS

Brève description

IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-SOIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour IXDN409SIA

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXDN409SIA

Fabricant : IXYS

La description : IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-SOIC

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Configuration pilotée : Low-Side

Type de canal : Single

Nombre de conducteurs : 1

Type de porte : IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tension - Alimentation : 4.5V ~ 35V

Tension logique - VIL, VIH : 0.8V, 3.5V

Courant - sortie de crête (source, puits) : 9A, 9A

Type d'entrée : Non-Inverting

Haute tension latérale - Max (Bootstrap) : -

Temps de montée / descente (type) : 10ns, 10ns

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareils du fournisseur : 8-SOIC

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXD , IXDN4

Documents pour IXDN409SIA

Feuilles de données : IXDN409SIA.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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