SUD50N02-09P-GE3 - MOSFET N-CH 20V 20A TO252
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MOSFET N-CH 20V 20A TO252
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SUD50N02-09P-GE3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SUD50N02-09P-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N-CH 20V 20A TO252
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 39.5W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-252
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SUD50N02-09P-GE3
Feuilles de données : SUD50N02-09P-GE3.pdf
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| AVX Corporation | CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 7000PF 15KV R230 DISK. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 7600PF 20KV SCREW. | ||
| KEMET | CAP CER 0805 150NF 63V X7R 10. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 25PF 30KV. | ||
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