PH5525L,115 - MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-PH5525L,115
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour PH5525L,115
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PH5525L,115
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK
Séries : TrenchMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 81.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.15V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 16.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2150pF @ 12V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 62.5W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : LFPAK56, Power-SO8
Paquet / caisse : SC-100, SOT-669
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour PH5525L,115
Feuilles de données : PH5525L,115.pdf
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