DMN6066SSD-13 - MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO

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MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMN6066SSD-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMN6066SSD-13
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 66 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10.3nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 502pF @ 30V
Puissance - Max : 1.8W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOP
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMN6 , DMN606

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Feuilles de données : DMN6066SSD-13.pdf

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