MJD112-1G - TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-MJD112-1G
Fabricant
Brève description
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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Spécifications pour MJD112-1G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : MJD112-1G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de transistor : NPN - Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 2A
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 3V @ 40mA, 4A
Courant - Coupure Collecteur (Max) : 20µA
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 1000 @ 2A, 3V
Puissance - Max : 1.75W
Fréquence - Transition : 25MHz
Température de fonctionnement : -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Package d'appareils du fournisseur : I-PAK
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour MJD112-1G
Feuilles de données : MJD112-1G.pdf
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