MHT1108NT1 - RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO

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RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour MHT1108NT1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : MHT1108NT1
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de transistor : LDMOS
La fréquence : 2.45GHz
Gain : 18.6dB
Tension - Test : 32V
Note actuelle : 10µA
Figure de bruit : -
Courant - Test : 110mA
Puissance - sortie : 12.5W
Tension - nominale : 65V
Paquet / caisse : 16-VDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : 16-DFN (4x6)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : MHT , MHT11

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Feuilles de données : MHT1108NT1.pdf

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