APT7F80K - MOSFET N-CH 800V 7A TO-220

Référence fabricant

APT7F80K

Numéro de pièce interne

AX-APT7F80K

Fabricant

Microsemi Corporation

Brève description

MOSFET N-CH 800V 7A TO-220

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

9371 Pieces

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Spécifications pour APT7F80K

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : APT7F80K

Fabricant : Microsemi Corporation

La description : MOSFET N-CH 800V 7A TO-220

Séries : POWER MOS 8™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 800V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 500µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 43nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1335pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 225W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220 [K]

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : AP , APT7

Documents pour APT7F80K

Feuilles de données : APT7F80K.pdf

Produits associés pour APT7F80K Microsemi Corporation

Numéro d'article	Marque	La description
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GRM0335C1H5R9DD01D	Murata Electronics North America	CAP CER 5.9PF 50V NP0 0201.
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