IPD60R1K4C6ATMA1 - MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3

Référence fabricant

IPD60R1K4C6ATMA1

Numéro de pièce interne

AX-IPD60R1K4C6ATMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IPD60R1K4C6ATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPD60R1K4C6ATMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3

Séries : CoolMOS™ C6

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.2A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 90µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 9.4nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 200pF @ 100V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 28.4W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO252-3

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPD60 , IPD60R1K

Documents pour IPD60R1K4C6ATMA1

Feuilles de données : IPD60R1K4C6ATMA1.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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