IDC04S60CEX1SA1 - DIODE SIC 600V 4A SAWN WAFER
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Fabricant
Brève description
DIODE SIC 600V 4A SAWN WAFER
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IDC04S60CEX1SA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IDC04S60CEX1SA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : DIODE SIC 600V 4A SAWN WAFER
Séries : CoolSiC™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de diode : Silicon Carbide Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 4A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.9V @ 4A
La vitesse : No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 50µA @ 600V
Capacité @ Vr, F : 130pF @ 1V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : Die
Package d'appareils du fournisseur : Die
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IDC04S60CEX1SA1
Feuilles de données : IDC04S60CEX1SA1.pdf
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