BS2100F-E2 - IC DVR IGBT/MOSFET

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
IC DVR IGBT/MOSFET
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BS2100F-E2

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BS2100F-E2
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : IC DVR IGBT/MOSFET
Séries : -
Statut de la pièce : Not For New Designs
Configuration pilotée : Half-Bridge
Type de canal : Independent
Nombre de conducteurs : 2
Type de porte : N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation : 10V ~ 18V
Tension logique - VIL, VIH : 1V, 2.6V
Courant - sortie de crête (source, puits) : 60mA, 130mA
Type d'entrée : Non-Inverting
Haute tension latérale - Max (Bootstrap) : 600V
Temps de montée / descente (type) : 200ns, 100ns
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOP
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : BS2 , BS210

Documents pour BS2100F-E2

Feuilles de données : BS2100F-E2.pdf

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CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.

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