PHM12NQ20T,518 - MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON
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MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour PHM12NQ20T,518
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PHM12NQ20T,518
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON
Séries : TrenchMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 14.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1230pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 62.5W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-HVSON (6x5)
Paquet / caisse : 8-VDFN Exposed Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour PHM12NQ20T,518
Feuilles de données : PHM12NQ20T,518.pdf
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