SIHH180N60E-T1-GE3 - MOSFET N-CH PPAK 8X8
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Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH PPAK 8X8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SIHH180N60E-T1-GE3
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SIHH180N60E-T1-GE3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET N-CH PPAK 8X8
Séries :
E
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
19A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1085pF @ 100V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
114W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
PowerPAK® 8 x 8
Paquet / caisse :
8-PowerTDFN
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SIHH180N60E-T1-GE3
Feuilles de données :
SIHH180N60E-T1-GE3.pdf
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CAP CER 6000PF 16KV SCREW. |
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CAP CER 5000PF 16KV SCREW. |
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CAP CER 10000PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 16KV SCREW. |
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CAP CER 2500PF 14KV SCREW. |
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