SI5515CDC-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SI5515CDC-T1-GE3
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SI5515CDC-T1-GE3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Séries :
TrenchFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N and P-Channel
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
36 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
11.3nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
632pF @ 10V
Puissance - Max :
3.1W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-SMD, Flat Lead
Package d'appareils du fournisseur :
1206-8 ChipFET™
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SI5515CDC-T1-GE3
Feuilles de données :
SI5515CDC-T1-GE3.pdf
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