NTAT6H406NT4G - NCH 80V 175A 2.9MOHM
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NCH 80V 175A 2.9MOHM
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NTAT6H406NT4G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NTAT6H406NT4G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : NCH 80V 175A 2.9MOHM
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 175A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 8040pF @ 40V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 90W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : ATPAK
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour NTAT6H406NT4G
Feuilles de données : NTAT6H406NT4G.pdf
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