DMJ70H900HJ3 - MOSFET BVDSS 651V 800V TO251

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MOSFET BVDSS 651V 800V TO251
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Spécifications pour DMJ70H900HJ3

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMJ70H900HJ3
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET BVDSS 651V 800V TO251
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 700V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 18.4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 603pF @ 50V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 68W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-251
Paquet / caisse : TO-251-3, IPak, Short Leads
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMJ7 , DMJ70H

Documents pour DMJ70H900HJ3

Feuilles de données : DMJ70H900HJ3.pdf

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