FQT1N80TF-WS - MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223

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MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223
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Spécifications pour FQT1N80TF-WS

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FQT1N80TF-WS
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223
Séries : QFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 200mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7.2nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 195pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.1W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-223-3
Paquet / caisse : TO-261-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : FQT1 , FQT1N8

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Feuilles de données : FQT1N80TF-WS.pdf

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