SI8900EDB-T2-E1 - MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

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MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
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Spécifications pour SI8900EDB-T2-E1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SI8900EDB-T2-E1
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1.1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Puissance - Max : 1W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 10-UFBGA, CSPBGA
Package d'appareils du fournisseur : 10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SI890 , SI8900E

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Feuilles de données : SI8900EDB-T2-E1.pdf

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