TSM680P06DPQ56 RLG - MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN
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MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TSM680P06DPQ56 RLG
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TSM680P06DPQ56 RLG
Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation
La description : MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 68 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 16.4nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 870pF @ 30V
Puissance - Max : 3.5W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN
Package d'appareils du fournisseur : 8-PDFN (5x6)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour TSM680P06DPQ56 RLG
Feuilles de données : TSM680P06DPQ56 RLG.pdf
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