SISH101DN-T1-GE3 - MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212

Référence fabricant

SISH101DN-T1-GE3

Numéro de pièce interne

AX-SISH101DN-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

1414715 Pieces

Prix de référence

~~USD 0.198318~~

Notre prix

- (Veuillez nous contacter pour un meilleur prix: [email protected])

AX Semiconductor a SISH101DN-T1-GE3 en stock à vendre. Nous pouvons vous expédier dans les 1-2 jours. Veuillez nous contacter pour un meilleur prix pour SISH101DN-T1-GE3. Notre email: [email protected]

Options et délais de livraison:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Options de paiement:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Spécifications pour SISH101DN-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SISH101DN-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 16.9A (Ta), 35A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.2 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 102nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3595pF @ 15V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® 1212-8SH

Paquet / caisse : PowerPAK® 1212-8SH

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SISH1 , SISH101D

Documents pour SISH101DN-T1-GE3

Feuilles de données : SISH101DN-T1-GE3.pdf

Produits associés pour SISH101DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Numéro d'article	Marque	La description
WF125300WJ76238BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 14KV SCREW.
WF135285WP50233BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV SCREW.
WF135285WP50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV SCREW.
FPE210WV15236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1500PF 30KV R85 AXIAL.
WI140266WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WF125405WJ10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
TF170311WW40236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 32KV R85.
CDR31BX332BKZPAB	Vishay Vitramon	CAP CER 3300PF 100V BX 0805.
WI085175WJ22238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2200PF 14KV.
GRM0335C1H5R9DD01D	Murata Electronics North America	CAP CER 5.9PF 50V NP0 0201.
WF165335WL10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 16KV SCREW.
WI140316WQ75236BJ4	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WF135218WL40238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 16KV SCREW.
WI140266WJ10336BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
WI140316WQ75236BJ3	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WF135250WL50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
WF165270WJ75238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 14KV SCREW.
WF125420WN76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 18KV SCREW.
GRM1555C1E8R1CZ01D	Murata Electronics North America	CAP CER 8.1PF 25V NP0 0402.
WF135272WL60238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 16KV SCREW.