3LN01M-TL-E - MOSFET N-CH 30V 0.15A

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MOSFET N-CH 30V 0.15A
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Spécifications pour 3LN01M-TL-E

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : 3LN01M-TL-E
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 30V 0.15A
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 150mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 Ohm @ 80mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.58nC @ 10V
Vgs (Max) : ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 150mW (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SC-70/MCPH3
Paquet / caisse : SC-70, SOT-323
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : 3LN , 3LN01

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Feuilles de données : 3LN01M-TL-E.pdf

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