TSM150P03PQ33 RGG - MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN

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MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN
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Spécifications pour TSM150P03PQ33 RGG

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TSM150P03PQ33 RGG
Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation
La description : MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 36A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 29.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1829pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 27.8W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-PDFN (3x3)
Paquet / caisse : 8-PowerWDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : TSM15 , TSM150P0

Documents pour TSM150P03PQ33 RGG

Feuilles de données : TSM150P03PQ33 RGG.pdf

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