FDFMA2P859T - MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FDFMA2P859T
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour FDFMA2P859T
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FDFMA2P859T
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
Séries : PowerTrench®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 435pF @ 10V
Caractéristique FET : Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max) : 1.4W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : MicroFET 2x2 Thin
Paquet / caisse : 6-UDFN Exposed Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour FDFMA2P859T
Feuilles de données : FDFMA2P859T.pdf
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