PMPB85ENEAX - MOSFET N-CH 60V 3A SOT1220

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MOSFET N-CH 60V 3A SOT1220
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Spécifications pour PMPB85ENEAX

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PMPB85ENEAX
Fabricant : Nexperia USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 60V 3A SOT1220
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 95 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 9.2nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 305pF @ 30V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : DFN2020MD-6
Paquet / caisse : 6-UDFN Exposed Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : PMP , PMPB8

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Feuilles de données : PMPB85ENEAX.pdf

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