PMCM650VNE/S500Z - MOSFET N-CH 12V 8.4A 6WLCSP

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MOSFET N-CH 12V 8.4A 6WLCSP
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Spécifications pour PMCM650VNE/S500Z

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PMCM650VNE/S500Z
Fabricant : Nexperia USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 12V 8.4A 6WLCSP
Séries : TrenchMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 15.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1060pF @ 6V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 12.5W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 6-WLCSP (1.48x.98)
Paquet / caisse : 6-XFBGA, WLCSP
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : PMCM6 , PMCM650V

Documents pour PMCM650VNE/S500Z

Feuilles de données : PMCM650VNE/S500Z.pdf

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