BSB104N08NP3GXUSA1 - MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON

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MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
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Spécifications pour BSB104N08NP3GXUSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSB104N08NP3GXUSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 13A (Ta), 50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 40µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2100pF @ 40V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquet / caisse : 3-WDSON
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : BSB104 , BSB104N08

Documents pour BSB104N08NP3GXUSA1

Feuilles de données : BSB104N08NP3GXUSA1.pdf

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