IPD90P03P4L04ATMA1 - MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3

Référence fabricant

IPD90P03P4L04ATMA1

Numéro de pièce interne

AX-IPD90P03P4L04ATMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IPD90P03P4L04ATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPD90P03P4L04ATMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3

Séries : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 90A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.1 mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 253µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 160nC @ 10V

Vgs (Max) : +5V, -16V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 11300pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 137W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO252-3

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPD90P , IPD90P03P

Documents pour IPD90P03P4L04ATMA1

Feuilles de données : IPD90P03P4L04ATMA1.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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PEF220WH10338BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK.
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