8EWF12STR - DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-8EWF12STR
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
9057 Pieces
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Spécifications pour 8EWF12STR
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : 8EWF12STR
Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division
La description : DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 1200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 8A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.3V @ 8A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 270ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 100µA @ 1200V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareils du fournisseur : D-PAK (TO-252AA)
Température de fonctionnement - Jonction : -40°C ~ 150°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour 8EWF12STR
Feuilles de données : 8EWF12STR.pdf
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