DMT6007LFGQ-7 - MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333

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MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333
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Spécifications pour DMT6007LFGQ-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMT6007LFGQ-7
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 15A (Ta), 80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 41.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2090pF @ 30V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PowerDI3333-8
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMT6 , DMT600

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Feuilles de données : DMT6007LFGQ-7.pdf

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