IPG20N04S4L11ATMA1 - MOSFET 2N-CH 8TDSON
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Brève description
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IPG20N04S4L11ATMA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPG20N04S4L11ATMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET 2N-CH 8TDSON
Séries : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.6 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 15µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1990pF @ 25V
Puissance - Max : 41W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur : PG-TDSON-8-4
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IPG20N04S4L11ATMA1
Feuilles de données : IPG20N04S4L11ATMA1.pdf
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