NVMFS5833NWFT3G - MOSFET N-CH 40V SO8FL
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Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 40V SO8FL
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NVMFS5833NWFT3G
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
NVMFS5833NWFT3G
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET N-CH 40V SO8FL
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
16A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
32.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1714pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
3.7W (Ta), 112W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / caisse :
8-PowerTDFN
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour NVMFS5833NWFT3G
Feuilles de données :
NVMFS5833NWFT3G.pdf
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